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第一一一八章 浸没式光刻系统遇到难题

  第一一一八章 浸没式光刻系统遇到难题 (第1/2页)
  
  800nm制程工艺的专利技术对于gca来说如同鸡肋,但对于bsec如同神助,掌握后就能跨越1um制程工艺,掌握800nm制程工艺技术。
  
  拥有了193nm的arfi准分子激光器的制造技术和800nm制程工艺的专利技术,但bsec还不能生产自主知识产权的1um制程工艺的光刻机。
  
  为了将来不被美国政府卡脖子,未雨绸缪,bsec要掌握生产光刻机的三大核心技术:光源系统、光学系统和工作台系统,不断升级换代。
  
  叮嘱邓国辉,bsec光刻机光源研究所研究清楚gmarf准分子激光器的工作原理和制造技术,光刻机光源公司自己生产;叮嘱陈伟长,bsec光刻机光学研究所自己研制成功6英寸晶圆和1um制程工艺的光学镜头和反射镜头,光刻机光学公司自己生产。
  
  孙健承诺,bsec在2年内生产具有自主知识产权的6英寸晶圆和1um制程工艺的光刻机,淘宝控股公司掏钱奖励项目组200万元;在4年内能生产一条具有自主知识产权的6英寸晶圆和1um制程工艺的半导体生产线,他从淘宝控股公司持有的bsec股份中,拿出200万股奖励给做出重大贡献的科技和生产人员,但在规定时间内,完不成任务,就开始裁员!
  
  奖励和裁员双管齐下,管理层、技术人员和普通员工的压力剧增。
  
  邓国辉拿到arf准分子激光器专利技术,同钱富强仔细研究一番后,如醍醐灌顶,豁然开朗,申请2000万元的研发经费,带领光刻机光源研究所按照gca提供的技术图纸,消化吸收arf准分子激光器的专利技术……
  
  1995年2月,经过一年半的攻关,光刻机光源公司生产出一台6英寸晶圆和1um制程工艺的光刻机。
  
  1995年9月,bsec生产了一条有自主知识产权的6英寸晶圆和1um制程工艺的半导体生产线,填补了国内技术空白,打开了国内市场,终于抛掉三年巨亏的不利局面,1995年度实现净利润11600万元。
  
  1996年4月20日,bsec拿到公开发行新股的额度,6月11日,在鹏城证券交易所公开发行了15000万股新股(其中1000万股职工股),每股发行价6元,融资8.73亿元(扣除发行费用),其中8亿元用于研发8英寸晶圆和500nm制程工艺光刻机,0.73亿元用于补充公司流动资金。
  
  当时bsec研制的6英寸晶圆和800nm制程工艺的光刻机已经临近尾声。
  
  “邓院长,研究院继续研发8英寸晶圆和500nm工艺的光刻机。”
  
  “好的,董事长!”
  
  “魏总,公司争取早日生产出一条具有自主知识产权的6英寸晶圆和800nm制程工艺的半导体生产线,到时,pgca率先订购一条。”
  
  “好的,董事长!”
  
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  “董事长,经过近2年的联合攻关,研究证实,我们用去离子水等手段,保持水的洁净度和温度,使其不起气泡,用去离子水作为曝光介质,虽然光源波长还是用原来的193nm,但通过去离子水的折射,能使进入光阻的波长明显缩小,使用浸没式技术突破193nm波长可行,我们如今遇到的最大难题是我们自己制造的光学镜头不能满足突破193nm波长光刻光学器件的技术要求。”
  
  浸没式光刻技术联合攻关组组长陈伟长院士给孙健汇报浸没式光刻技术的最新进展,总经理魏建国、院长邓国辉院士、副院长欧阳民院士、联合攻关组副组长夏季常院士和光源研究所所长钱富强研究员也在场。
  
  
  
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